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推動Sic產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展,BOTH助力國內(nèi)大規(guī)模Sic半導體生產(chǎn)基地達成里程碑

2024-12-18

近年來,隨著全球能源轉型和可持續(xù)發(fā)展需求的不斷提升,第三代化合物半導體受到市場高度關注,特別是隨著Sic(碳化硅)材料在新能源汽車、風光儲、電網(wǎng)、智能駕駛及5G等領域應用需求爆發(fā),產(chǎn)業(yè)進入快速擴張期。今年,在長江經(jīng)濟帶上的核心城市,BOTH為多個Sic(碳化硅)領域重大項目提供高等級潔凈室及相關受控環(huán)境的系統(tǒng)集成建設服務。

近期,在中部大省, 我們推動一座大規(guī)模第三代半導體功率器件研發(fā)生產(chǎn)基地項目達成首批工藝設備搬入的重要里程碑節(jié)點,確保整個項目向量產(chǎn)通線的最終目標順利推進,為基地構建全鏈條生產(chǎn)能力、加速通線量產(chǎn)奠定堅實根基。

據(jù)悉,該項目在良率提升和產(chǎn)能爬坡后,或將成為國內(nèi)最大的Sic(碳化硅)功率半導體制造基地,引領國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)邁入規(guī)?;⑴炕男码A段,推動碳化硅技術在更多領域的應用和普及。

此前,在成渝地區(qū),BOTH通過為客戶高效交付最佳的潔凈生產(chǎn)環(huán)境,推動了一座300億元的Sic(碳化硅)項目實現(xiàn)襯底工廠提前投產(chǎn)。我們的精益交付,正助力客戶產(chǎn)品加速上市。

據(jù)公開資料顯示,Sic(碳化硅)作為第三代半導體材料的代表,在禁帶寬度、擊穿電場、熱導率、電子飽和速率等指標具備顯著優(yōu)勢,可滿足高功率、高電壓、高頻率的需求,在新能源汽車、5G基站、光伏儲能等應用場景中的需求迅速擴增。據(jù)機構預測,到2030年,國內(nèi)碳化硅功率半導體市場規(guī)模將超過210億元。市場的急速擴容催生更龐大的產(chǎn)能需求,當下,眾多企業(yè)正加快增資擴產(chǎn)SiC晶圓產(chǎn)線。

在Sic(碳化硅)晶圓的生產(chǎn)過程中,由于易受外來物、灰塵粒子、金屬離子等外來物的影響而破壞表面結構從而影響良率,客戶往往對生產(chǎn)環(huán)境的溫度、濕度、潔凈度、防微振等均有著嚴格的控制要求。

自2000年以來,BOTH 一直是半導體行業(yè)的主要服務提供商之一,我們?yōu)閲鴥?nèi)最大、最成熟的半導體制造商提供潔凈室及其他關鍵系統(tǒng)的集成解決方案。

依托技術創(chuàng)新、項目執(zhí)行、管理經(jīng)驗以及卓越業(yè)績記錄,讓我們能夠滿足客戶最嚴格的要求,實現(xiàn)Sic(碳化硅)晶圓制造環(huán)境的精準控制與持續(xù)穩(wěn)定,確保晶圓最高的性能和良率,無論是建造新晶圓廠還是現(xiàn)有產(chǎn)能升級。

未來,BOTH將把技術知識和經(jīng)驗帶到服務中,不斷為客戶解決復雜和挑戰(zhàn)性問題,完美交付安全、可靠運行的高科技設施,支持客戶使命,助力Sic從襯底、外延、器件到模塊封裝各個環(huán)節(jié)實現(xiàn)良率提升、產(chǎn)能擴大、產(chǎn)線穩(wěn)定,推動Sic產(chǎn)業(yè)持續(xù)向好發(fā)展。